(GA相关论文
运用相平衡分析的方法，对（Ｇａ，Ｉｎ）Ａｓ半导体ＭＯＶＰＥ生长过程中源物质热分解后的气相物种分压进行了分析，得到了沉积物种的生成率随各生长参数的变化规律......
基于密度泛函理论的赝势平面波方法计算了处于填隙位置磁性原子(MnI)对(Ga,Mn)As体系电子结构和磁性的影响. 计算结果表明MnI在GaA......
利用低能双离子束外延技术 ,在 4 0 0℃条件下生长样品 (Ga,Mn,As) / Ga As.样品光致发光谱出现三个峰 ,即1.5 0 4 2 e V处的 Ga A......
运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋......
在（In,Ga）As缓冲层中生长的Ga0.95Mn0.05As薄膜的磁光圆二向色性（MCD）扫描磁场的测量中发现异常现象,这一现象出现在外磁场把样品的磁......
利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）技术，在蓝宝石（α～Al2O3）衬底上生长出Mn含量约为3％的（Ga，Mn）稀磁半导体......
稀磁半导体（DMS）因其可以利用电子的电荷和自旋特性同时来工作,在新一代光电器件、传感器件、量子计算和量子通信器件等方面具有广阔......
